PlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极，能够在很宽的温度范围内进行工艺，具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力，该工艺模块可提供具有高度均匀，高产量和高精度的工艺。
电极的适用温度范围宽，-150°C至400°C
兼容200mm以下所有尺寸的晶圆
快速更换到不同尺寸的晶圆工艺
购置成本低且易于维护
紧密的设计，布局灵活
实时清洗和终点监测
我们的设备和工艺已通过充分验证，正常运转时间可达90%以上，一旦设备安装完毕，可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广，包括但不限于： MEMS和传感器，光电子，分立元器件和纳米技术。它具有研究和开发需要的灵活性， 同时具备量产所需要的质量可靠性。
特征
牛津仪器的PlasmaPro 100系列具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力。该工艺模式可提供出色的均匀性，高产量和高精度的工艺。
通过均匀的高导通路径连接的腔室，将反应粒子输送到衬底 - 在维持低气压的同时，允许使用较高的气体通量
高度可变的下电极 - 充分利用等离子体的三维特性，在适合的高度条件下，衬底厚度最大可达10mm
电极的温度范围宽（-150°C至+ 400°C），可通过液氮，液体循环制冷机或电阻丝加热 - 可选的吹排及液体更换单元可自动进行模式切换
由再循环制冷机单元供给的液体控温的电极 - 出色的衬底温度控制
射频功率加载在喷头上，同时优化气体输送 - 提供具有低频/射频切换功能的均匀的等离子体工艺，可精确控制薄膜应力
ICP源尺寸为65mm，180mm，300mm - 确保最大200mm晶圆的工艺均匀性
高抽气能力 - 提供了更宽的工艺气压窗口
晶圆压盘与背氦制冷 - 更适合的晶片温度控制
应用
III-V族材料的刻蚀工艺
固体激光器InP刻蚀
VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀
射频器件低损伤GaN刻蚀
硅 Bosch和超低温刻蚀工艺
类金刚石（DLC）沉积
二氧化硅和石英刻蚀
用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺，可处理封装好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圆
沉积高质量的PECVD氮化硅和二氧化硅薄膜，用于光子学、电介质层、钝化等诸多其它用途
用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀
注：该仪器未取得中华人民共和国医疗器械注册证，不可用于临床诊断或治疗等相关用途
