日本电子JBX-3200MV电子束光刻系统 基于加速电压50 kV的可变矩形电子束

产品特点：

利用步进重复式曝光的优点，结合曝光剂量调整功能及重叠曝光等功能，能支持下一代掩模版/中间掩模版（mask/reticle）图形制作所需要的多种补偿。

JBX-3200MV是用于制作28nm～22/20nm节点的掩模版/中间掩模版（mask/reticle）的可变矩形电子束光刻系统。

zei先进的技术实现了高速、高精度和高可靠性。是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统

产品规格：

拼接精度≦±3.5 nm

套刻精度≦±5 nm

JBX-3200MV　电子束光刻系统

JBX-3200MV是用于制作28nm～22/20nm节点的掩模版/中间掩模版（mask/reticle）的可变矩形电子束光刻系统。 zei先进的技术实现了高速、高精度和高可靠性。 是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统｡

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