RTP-6快速退火炉配备了抛物面反射器和红外灯加热系统，可以均匀加热尺寸达6英寸的晶圆。其具备高速热处理的能力，可用于热处理工艺的研究和开发。 在个别半导体工艺和化合物半导体的过程退火中可以形成硅化物。
应用:
用于半导体的各种晶片的高速热处理。
特性：
1.对尺寸达6英寸的晶圆进行高速热处理
2.采用水冷冷壁结构，无重金属污染，可高速冷却
3.真空更换后可提供各种气流；
4.通过您的电脑，您可以轻松输入温度程序和外部信号。 在加热过程中获取的温度数据可以显示在PC上。
5. 9区功率控制可实现良好的温度分布和可重复性。
6.石英室保护罩可用于防止室内污染（可选）。
型号 | RTP-6 |
温度范围 | RT to 1000 °C |
样品尺寸 | 4-6英寸圆晶 |
气氛 | 各种气氛，气流，空气氛围，真空； |
加热方式 | 上层抛物面红外加热系统或下层抛物面加热系统 |
最大升温速率 | 80℃/s |
均热精度 | Δt＝10℃ (晶圆在800℃氮气流下) |
热电偶 | JIS-K型热电偶, 高温计（可选） |
外形尺寸 | 约 W600 x D1000 x H1700 (mm) 不包含突出部分 |
重量 | 约300kg |
供电要求 | 三相电，AC 200V，30kVA |
水冷要求 | 压力≥0.3Mpa ，流速≥15L/min |
真空排气口 | KF-25 |
通气口 | 进气口:1/4 英寸套管接头 |
热空气排气口 | 约φ50mm孔 |
注：该仪器未取得中华人民共和国医疗器械注册证，不可用于临床诊断或治疗等相关用途
