微波等离子体系统（去胶机）

微波等离子体系统（去胶机）：

用途：

Removal of Photoresist ( after high-dose implant)（高剂量注入后）光刻胶的去除

After or before wet or dry etching process用于湿法或干法刻蚀工艺前后

SU 8 and other resists based on epoxy   SU-8和其它环氧基光胶的去除

Sacrificial layers in MEMS fabrication微电子机械系统加工中牺牲层去除

Desorption of chemical residues去除化学残余物

Descum Process清除浮渣工艺

应用领域：

Photoresist and SU-8 Processing in Semiconductor Wafer Fabrication 半导体硅片生产中光刻胶或SU-8胶工艺
Plasma Pre-Treatment In Flat Panel Production 平板显示生产中等离子体预处理
Edge Isolation and Texturing In Solar Cell Manufacturing 太阳能电池生产中边缘绝缘和制绒
Substrate Cleaning and Pre-Treatment In Advanced Chip Assembly 先进晶片（芯片）装配中的衬底清洁和预处理




优势：

Avoids resist popping after high-dose implant预处理可避免光刻胶在高剂量离子注入后破裂

Soft removal of crust硬胶的轻柔去除

Maximum temperature of 230°C最高温度为230摄氏度

Slow temperature ramp – up温升慢

High density of radicals高密度激发态原子团

Shorter Process time工艺时间短

Lowest self bias voltage, low damage最低的自偏压，低损伤




	Q150	Q235	Q240
最大样片尺寸	5"	6"	4", 5", 6", 8"
腔室尺寸（mm）	φ150 x 260depth	φ235 x 260depth	φ240x 460depth
处理能力	25x 5"	25x 6"	50x 6", 8"
工艺压力(Pascal)	1-100	1-100	1-100
频率(GHz)	2.45	2.45	2.45
功率(W)	100-600	100-600	100-1200
控制方式	全自动运行	全自动运行	全自动运行
外形尺寸 （WxHxD, mm）	500x370x550	590x460x550	760x775x775
主机重量（kg）	40	70	120
泵重量（kg）	32	32	83
总重量（kg）	72	102	203
总功率 (kW)	2.2	2.6	4.2




注：该仪器未取得中华人民共和国医疗器械注册证，不可用于临床诊断或治疗等相关用途