卓立汉光常温型铟镓砷探测器

产品概述

常温型铟镓砷探测器（常温型InGaAs探测器）

●  DInGaAs1650型内装国产InGaAs元件
●  DInGaAs1700-R03M型内装进口InGaAs元件
●  DInGaAs2600-R03M型内装进口大面积InGaAs元件

光谱响应度曲线参考图

常温型铟镓砷探测器型号列表及主要技术指标：

型号/参数	DInGaAs1650	DInGaAs1700-R03M	DInGaAs2600-R03M
光敏面直径(mm)	3	3	3
波长范围(nm)	800-1700	800-1700	800-2600
峰值响应度(A/W, *小)	0.85	0.9	1.1
暗电流(nA, *大)	200	100	1mA
D*(典型值)	-	2.3×1012	4.1×1010
NEP(典型值)	-	1.2×10-13	6.5×10-12
阻抗(MΩ)	1	1.5	320Ω
电容(pF)	1500	800	9000
响应时间(ns)	160	100	1μs
信号输出模式	电流	电流	电流
输出信号极性	正（P）	正（P）	正（P）

卓立汉光常温型铟镓砷探测器由北京卓立汉光仪器有限公司 为您提供，如您想了解更多关于卓立汉光常温型铟镓砷探测器报价、参数等信息 ，欢迎来电或留言咨询。