非极性GaN晶体基片

产品名称：	非极性氮化镓(GaN)晶体基片
产品简介：
技术参数：	晶体定位面：A plane <11-20>+/-1;M plane <1-100>+/-1°.传导类型：N型；半绝缘型电阻率：R<0.5 Ω.cm；R>106Ω.cm表面粗糙度：<0.5nm位错密度：<5x106Ω.cm可用表面积：>90%TTV:≤15um；
产品规格：	常规尺寸：10x5x0.5mm； 厚度公差：+/-0.05mm； 注：可按照客户要求加工尺寸及方向。

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