SOI基片（Si+SiO2+Si）

产品名称：	SOI基片（Si+SiO2+Si）
常规尺寸：	dia4" 镀膜层：20um Si P/B + 2umSiO2+500um Si undoped
技术参数：	国产SOI：膜层厚度可以按照客户需求加工①顶层2um±0.5（5点）, BOX层2um±0.1 ,  P型，总厚度大约621um, 平整度LTV < 1um②顶层3um±0.5（5点）, BOX层2um±0.1，P型，总厚度大约622um, 平整度LTV < 1um电阻率ΩNaN：15-25 ohmNaN；进口SOI：点击查看：http://mtixtl.com/soiwafersilicononinsulator.aspx
常规尺寸：	SOIφ4″<100>/<110>镀0.375umSiO2层镀0.2umSi层-1spSOIφ4″<100>/<110>镀0.375umSiO2层镀1umSi层-1spSOIφ6″<100>/<110>镀0.375umSiO2层镀1umSi层-1spSOIφ6″-<100>镀0.375umSiO2层镀0.1umSi层-1sp SOIφ6″-<100>镀3umSiO2层镀220nmSi层-1sp

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