VGF法生长GaAs

产品名称：	VGF生长法 GaAs（进口料GaAs single crystal wafer, PRIME Grade）
常规尺寸：	dia 2" x 0.5mm;单抛
技术参数：	生长方法：VGF法GaAs晶向：<100> 2 degree OFF Toward <101>±0.5 deg产品尺寸：dia2" x 0.5mm掺杂类型：N型掺Te载流子浓度：(0.15-2.6) E18 /cm^3迁移率:2700~3600 cm^2/V.S电阻率：9E-4~1.1E-2 ohm-cmEPD：<8000/cm^2
标准包装：	1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒

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