InP上镀InGaAs薄膜 半绝缘）进口料

常规尺寸：

dia 2" 

掺杂类型：

掺Fe ；半绝缘型

电阻率：

>1x10^7)ohm.cm

InP EPD：

<1x10^4 /cm^2

薄膜参数：

Lattice matched In/Ga alloy layer of N-type InGaAs(Si-doped)

薄膜Nc:

>2x10^18 /cc  

薄膜厚度：

0.5 um (± 20%)

生长方法：

MOCVD deposition

抛光:

双面抛光