氮化镓(GaN)薄膜

氮化镓Epitxial范本saphhire是提出了氢化物气相外延（HVPE）的方法。在HVPE过程中，盐酸反应生成GaCl，而这又与氨反应生成氮化镓熔镓。外延GaN的模板是成本效益的方法，以取代氮化镓单晶基板。

技术参数：

常规尺寸dia50.8±1mm  x 4um,10-25um.dia100±1mm  x 4um,10-25um. <0001>±1° N型

注：可按客户需求定制特殊堵塞方向和尺寸。

产品定位C轴<0001>±1°

传导类型N型；半绝缘型；P型

电阻率R<0.05 Ohm-cm；半绝缘型R>106 Ohm-cm

位错密度<1x108 Cm-2

表面处理(镓面)AS Grown

有效值<1nm

可用表面积>90%

标准包装：