进口GOI (Ge on insulator)

产品简介：

技术参数：

Device layer：直径:6" 

类型：P 型掺B 

晶向：<100>+/10 degree toward <111>

厚度:50 nm +/- 3%

电阻率:corresponding to 1E18 /cc

边取:<111>

抛光:单抛

Buried Thermal Oxide:厚度:100nm

Handle wafer:掺杂类型:P 型掺B 

晶向:<100>

电阻率:5-20 ohm-cm

厚度:625 +/- 15 um

抛光:As-received (not polished)

标准包装：

1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒