金刚石薄膜（高电阻DOI)

产品名称：	DOI（金刚石薄膜Diamond?on?Oxide）
技术参数：	基底尺寸：dia4"x0.5mm Si晶向：<100>±0.5° 绝缘层：SiO2 薄膜厚度：2um 氧化层：1um 电阻率：10E3 ~ 10E4 ohm-cm
标准包装：	1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒

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