Al2O3镀GaN薄膜_价格_型号_参数-仪器仪表网

产品名称：	Al2O3镀GaN薄膜（进口Si-doped?GaN?(0001)?Epitaxial?Template?on?Sapphire?N+type)
技术参数：	GaN类型：N 型掺SiGaN 薄膜厚度：<0001> 5um ±1umGaN 电阻率：<0.02 Ohm-cmGaN 载体浓度Carrier concentration：5x10^17-1x10^19/cc 正面 Front surface：Ga-faceAl2O3 参数：<0001> miscut: 0.3 deg +/- 0.1 deg toward M plane，单抛
产品尺寸：	dia 4inch +/- 0.25mm
标准包装：	1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒

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