InP上镀InGaAs薄膜

常规尺寸：

dia 2" ;单抛

标准包装：

技术参数：

1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒装  

InP掺杂类型：

不掺杂

InP尺寸：

dia 2inch x 0.35mm ±25um

Nc：

< 1E16/cc

EPD:

<1E4

薄膜参数:

In/Ga alloy layer of P type InGaAs:Zn(100), Nc=1E17 -1E18/cc.

薄膜厚度：

1.0 um (+/- 5%)

抛光情况：

单抛

表面粗擦度：

Roughness of epi-layer is close to 1 mono-layer (ML)