InP上镀InP/InGaAs/InP薄膜_价格_型号

产品名称：	InP上镀InP/InGaAs/InP薄膜（dia3”InP/InGaAs/InP EPI on InP <100>)
产品参数：	薄膜生长方法：MOCVD deposition 基底参数：N型掺S, InP:S [100]±0.5°, Nc=~5E18/cc 薄膜InP：1um 厚；N型掺Si；Nc=~5E15/cc 薄膜In0.53Ga0.47As：3.0±0.5μm 厚； N型不掺杂, Nc=1E15-1E16/cc 薄膜InP(top)：1um thick InP film, N型掺Si, Nc=1E15-1E16/cc
常规尺寸：	dia3” x650±25um
标准包装：	1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒装

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