主要特性： |
l InGaAs，响应波长0.9~1.7um |
l 低功耗，重量轻 |
l 体积紧凑，适合空间要求高的环境 |
l 集成TEC制冷，降低暗流 |
l 曝光时间500ns到500ms |
l 实时图像矫正：2 point NUC (offset & gain) + pixel correction |
关键指标： | |
分辨率 | 320x256 |
最大帧频 | 349.5fps |
满阱电荷 | 170Ke-@高增益 |
读出噪声 | <225e-@高增益 |
A/D深度 | 14bit |
功耗 | <5W |
工作温度 | -20℃~+55℃ |
典型应用： |
l 激光探测、分析 l 超光谱成像 |
l 半导体检测 |
l 太阳能电池检测 |
l 热成像 |
l 机载监控 |
l 天文观测 |
注：该仪器未取得中华人民共和国医疗器械注册证，不可用于临床诊断或治疗等相关用途
