【仪器仪表网 新品动态】近日，TESCAN 宣布推出三款升级FIB-SEM系统：SOLARIS 2、SOLARIS X 2 和 AMBER X 2。这些新系统带来了全自动 TEM 样品制备、xian进的失效分析和用于原位电性分析的精密逐层剥离技术，增强了半导体研发能力。
TESCAN SOLARIS 2：
AI 驱动的 TEM 样品制备
全自动 TEM 样品制备
AI 驱动的精确控制，以zui小的损伤制备出高质量的样品，支持各种几何形状的样品选择所需角度切削，包括正切、平面切和倒切样品薄片。
灵活的样品处理
使用 Triglav™ SEM 镜筒，实现高分辨率终点探测，适用于 GAA 和 FinFET 晶体管等xian进器件。
用户友好的操作
自动化工作流程减少设置时间，优化系统准备，确保各经验水平用户都能高效高质量制样，提高生产力。
TESCAN SOLARIS X 2：
无镓污染 TEM 制备和
xian进的失效分析
大体积失效分析
使用 Mistral™ 氙离子 FIB 进行深度横截面切割，可达 1 毫米深度，触及深层结构。
无镓污染 TEM 样品制备
制备高质量的无镓污染薄片，为xian进封装应用保留样品完整性。
精确的缺陷定位
Triglav™ SEM 镜筒能够实现纳米级精度，有助于在半导体xian进封装中缺陷隔离。
TESCAN AMBER X 2：
精密逐层剥离与原位电性分析
均匀、无伪影逐层剥离
通过定制的气体化学成分如 Nanoflat Chase 和 C-maze 实现一致的结果，针对 NMOS 和 PMOS 晶体管进行优化。
原位电性分析
扫描电镜与纳米探针的配合，可以在逐层剥离过程中实时诊断电性失效的原因。
自动逐层剥离技术
TESCAN Delayering™ 软件自动探测终点，针对特定层进行详细失效分析。
