【仪器网 专题推荐】日本的研究组制备了BFCO钴铁酸铋薄膜(部分铁原子被钴原子置换的铁酸铋)，能够在室温中自发形成面外的磁畴结构。通过纳米尺度的磁学表征和机电耦合表征，研究者证实了材料的磁畴能够被电场翻转。原子力显微镜(Atomic Force Microscopy，AFM)观察多铁薄膜中的磁畴翻转。
基于磁阻效应的随机存取存储器(MRAM)以及其它一些新型的磁学器件，有望成为快速、高密度、长寿命的数据存储解决方案。如果可以通过电场而不是电流来控制磁场，那么此类器件的功耗将能够被进一步降低。然而，实现电场调控是非常有挑战的工作。
东京工业大学和名古屋工业大学的学者通过具有铁磁性和铁电性的BFCO薄膜，在这一领域取得了进展。薄膜在钪酸钆基底上生长，以减小晶格失配导致的应力。由此制备的单一晶相的薄膜在室温下具有自发形成的面外磁畴。
利用原子力显微镜(Atomic Force Microscopy，AFM)的磁学表征和机电耦合表征技术，研究团队发现了材料的面外磁畴方向可以被电场方向所调控，而不需要施加电流。这表明材料的电畴和磁畴之间存在显著的耦合作用。
这项发现将有助于开发具有低功耗的MRAM及其它非易失性磁存储器件。
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